见上图；

名称：SQJ412EP-T1-GE3

Mouse编号:78-SQJ412EP-T1_GE3

制造商编号：SQJ412EP-T1_GE3

说明：MOSFET 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8L-4 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 40 V 

Id-连续漏极电流: 32 A 

Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

Qg-栅极电荷: 120 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 175 C 

配置: Single 

Pd-功率耗散: 83 W 

通道模式: Enhancement 

资格: AEC-Q101 

封装: Cut Tape 

封装: MouseReel 

封装: Reel 

高度: 1.04 mm  

长度: 6.15 mm  

系列: SQ  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5.13 mm  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 最小值: 85 S  

CNHTS: 8541290000  

下降时间: 55 ns  

HTS Code: 8541290095  

MXHTS: 85412999  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 150 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

TARIC: 8541290000  

典型关闭延迟时间: 50 ns  

典型接通延迟时间: 45 ns  

单位重量: 506.600 mg

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